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三星10纳米级工艺技术成熟,32 Gb DDR4内存芯片已经出样
http://www.50cnnet.com 物联中国
日期:2019-05-16 13:38:43来源:物联中国 作者: 收藏

三星最近开始对其32 Gb容量的DDR4内存芯片进行出样,提升存储密度后的新产品将有助于DRAM封装厂更容易进行高容量存储器模块的生产。三星的32 Gb A-die DDR4-2666芯片由两个堆叠的16 Gb DDR4裸片组成,采用该公司的10纳米级工艺技术生产。

三星提供两种版本的32 Gb DDR4封装:一种采用2G x8结构,另一种采用1G x16结构。前者被存储器控制器视为两个DRAM存储器设备,而后者被视为一个设备。 DDP(双芯片封装)采用标准78或96球FBGA外形尺寸,使用1.2V的工业标准电压。

JEDEC的DDR4规范仅描述了4 Gb,8 Gb和16 Gb内存设备。因此,DRAM制造商必须使用更先进的封装技术为服务器或工作站的高容量存储器模块构建芯片。 DDP不是特别新的东西,但32 Gb DDR4-2666 DDP是三星独有的。

32 Gb DDR4内存芯片将使模块和PC制造商能够使用更少的DRAM芯片,为需要高内存密度或小外形尺寸的应用构建高容量解决方案。显然,双列内存模块仍然需要内存控制器的支持,但至少使用这些芯片构建高容量内存子系统会更容易。

三星没有透露其32 Gb DDR4-2666 DDP的定价,但很明显它们将以比较高的价格出售,因为它们只能从三星获得,而且它们比SDP更难建造。

出处:物联中国作者:Semiconductor Engineering(责任编辑:zy)
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